华中科技大学电信系：《模拟电子技术基础》课程教学资源（PPT电子教案）模拟集成电路 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术

华中电信系 6.1模拟集成电路中的 直流偏置技术 61.1BJT电流源电路 1.镜像电流源 3.高输出阻抗电流源 2.微电流源 4.组合电流源 62FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3.JFET电流源 HOME BACKNEXT

6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 6.1.2 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源

61.1BJT电流源电路 华中电信系 镜像电流源 R 1、T2的参数全同 c2=1。=lR 即B1=B2,ICEo1 b,b CE02 BE2 BEl El I=lc1 EE 当BJT的较大时,基极电流可以忽略 VCC-VBE(vee VCC+Vee C2 REF R R 代表符号 HOME BACKNEXT

6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 VBE2 =VBE1 E2 = E1 I I C2 = C1 I I T1、T2的参数全同 即β1 ＝β2，ICEO1 ＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io ＝IC2≈IREF ＝ R V V R VCC VBE VEE CC EE ( )      代表符号

61.1BJT电流源电路 镜像电流源 REF 动态电阻 C1 b T C2 CE2 击穿 般r在几百千欧以上 。斜率 可用范围— CE2 HOME BACKNEXT

6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 动态电阻 B2 1 CE2 C2 o ( ) I v i r     一般ro在几百千欧以上 ce  r

61.1BJT电流源电路 2.微电流源 REF 2 BEl BE2 lc2=1 C2 E2 R TI T BE2 △Vn BE R 由于△V很小, E 所以(2也很小。r。rm2(1+AR) +R e2 参考射极偏置共射放大电路的输出电阻R HOME BACKNEXT

6.1.1 BJT电流源电路 2. 微电流源 e2 BE1 BE2 R V V IO  IC2  IE2  e2 BE R V  由于 VBE 很小， 所以IC2也很小。 ro ≈rce2（1＋ ） be2 e2 e2 r R R   （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 R o ）

61.1BJT电流源电路 CC 3.高输出阻抗电流源 R REF 1c3=I CC BE3 BE2 +y EE REF R C2 0 ≈1c2 TI REF A1和43分别是T和T3的相对结面积 动态输出电阻r远比微电流源的动态输出电阻为高 HOM配E BACKNEXT

A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC BE3 BE2 EE REF     REF 1 3 o C2 I A A I  I  

61.1BJT电流源电路 华中电信系 CC 4.组合电流源 T1、R1和T4支路产生基准电流 ↑长K REF ,和r,T和构成镜像电流源a T和T3,T和T构成了微电流源 REF S-cc ty EE BEl EB4 R R EE HOM配E BACKNEXT

6.1.1 BJT电流源电路 4. 组合电流源 T1、R1和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I     T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源

612FET电流源 华中电信系 MOSFET镜像电流源 Von+vss -v DD GS R Io =lD = =lo REF R NMOS 当器件具有不同的宽长比时 DSI T1gT2 S2 W2/L2 /REF(=0) W1/L1 -Vss ods2 MOSFET基本镜像电路流 HOME BACKNEXT

6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF      REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I   （=0） ro = rds2 MOSFET基本镜像电路流

612FET电流源 华中大电信 +VDp MOSFET镜像电流源m 用T代替R,T1T3特性相同, D2=0 且工作在放大区,当=0时,输出 电流为 T1 In2=(W/L)2Kn2(Vs32-V12)2 =K,O GS2 常用的镜像电流源 HOME BACKNEXT

6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V      用T3代替R，T1~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源

612FET电流源 华中电信系 2. MOSFET多路电流源 +VDp REF DO n0 GSO TO W/L NMOS TO 2D3 D2-W1/L1 REF +V GSO NMOS TI T T W/L D3 REF GS GS-4 WlL D4 W/L REF HOME BACKNEXT

6.1.2 FET电流源 2. MOSFET多路电流源 REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I  REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I  REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I  2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I   

612FET电流源 华中电信系 3.JFET电流源 =1 斜率 ODS 可用范围 S BR (a)电路 (b)输出特性 HOME end BACKNEXT

6.1.2 FET电流源 3. JFET电流源 end (a) 电路 (b) 输出特性