《PC组装与维护》课程电子教案（PPT教学课件）第4章 内存

第4章内存

第4章 内 存

本章内容 掌握内存的分类、内存的单位、内 存的结构和主要技术参数 熟练掌握内存条的安装及拆卸,了 解测试软件CPU-Z的使用

掌握内存的分类、内存的单位、内 存的结构和主要技术参数; • 熟练掌握内存条的安装及拆卸，了 解测试软件CPU-Z的使用。 本章内容

存储器的逻辑结构示意图 地址译码器 地址 内容 0000H 0001H 地址总线 0002H XXXXH 读写控制总线 数据总线

0000H 0001H 0002H XXXXH 读写控制总线 数据总线 地址译码器 地址 内容 地址总线 存储器的逻辑结构示意图

4.1内存的分类 4.1.1按内存的工作原理分类 按内存的工作原理分为ROM和RAM。 1.ROM:是一种不靠电源保持信息,只能读取,不能随意改变内容 的一种存储器。根据把数据存入ROM的方式不同,ROM分为 四类 (1)ROM(掩模式只读存储器) 生产厂一次性写入,批量大、价低、可靠 2)PROM( Programmable rom,一次编程只读存储器)PROM 芯片的外观,如图4-1所示。 用户一次性写入,批量小 1.A12 图4-1PROM芯片

4.1 内存的分类 • 4.1.1 按内存的工作原理分类 • 按内存的工作原理分为ROM和RAM。 • 1. ROM：是一种不靠电源保持信息，只能读取，不能随意改变内容 的一种存储器。根据把数据存入ROM的方式不同，ROM分为以下 四类。 • (1) ROM（掩模式只读存储器） • 生产厂一次性写入，批量大、价低、可靠 • (2) PROM（Programmable ROM，一次编程只读存储器） PROM 芯片的外观，如图4-1所示。 • 用户一次性写入，批量小。 图4-1 PROM芯片

掩膜ROM单译码结构电路 DD 字线10110 1 A 0 Ao 字地址译码器 宇线20101 字线31010 字线40000 位线 位位位 线线 2 D4 D3 D2 D 例:当AA0=01时选中字线2=1,相连的栅极高电位,管子导通,与之相连的位线 为0,其他位线为1。未选中的字线为0,相连的管子截止,不影响位线状态

掩膜ROM单译码结构电路 0110 0101 1010 0000 例：当A1A0=01时选中字线2=1,相连的栅极高电位，管子导通，与之相连的位线 为0,其他位线为1。未选中的字线为0，相连的管子截止,不影响位线状态。 0110 0000 1 0

(3)多次改写可编程的只读存储器 ·这类ROM有三种 ① EPROM( Erasable Programmable Rom,可 擦编程只读存储器): EPROM芯片上有一个透 明窗口,紫外擦除,编程器写入,适于科研。 其外观如图42所示 图42 EPROM芯片

(3) 多次改写可编程的只读存储器 • 这类ROM有三种。 • ① EPROM（Erasable Programmable ROM，可 擦编程只读存储器）：EPROM芯片上有一个透 明窗口，紫外擦除，编程器写入，适于科研。 • 其外观如图4-2所示。 图4-2 EPROM芯片

2 EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程只读存储器):主板BIOS EEPROM的容量一般为512Kbt~1Mbit,12V高电压 擦写,跳线保护写入引脚。其外观如图4-3所示 图4-3 EEPROM芯片

• ② EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程只读存储器）：主板BIOS EEPROM的容量一般为512Kbit～1Mbit，12V高电压 擦写，跳线保护写入引脚。其外观如图4-3所示。 图4-3 EEPROM芯片

③ Flash memory(闪速存储器):主板上BIOS、 USB优盘上的 Flash memory芯片,不改变写入电 压,可实现在线编程。 如图4-4所示。 Pedras 图44 Flash memory芯片

• ③ Flash Memory（闪速存储器）：主板上BIOS、 USB优盘上的Flash Memory芯片，不改变写入电 压，可实现在线编程。 • 如图4-4所示。 图4-4 Flash Memory芯片

2 RAM ·根据其制造原理不同,它分为SRAM静态随机存储 器和DRAM动态随机存储器两种,现在的RAM多为 MOS型半导体电路 (1)SRAM( Static ram,静态随机存储器)双稳电路, 速度快、成本高、容量小,适合做高速 Cache (2)DRAM( DynamIc RAM,动态随机存储器)晶体 管+电容,需刷新(充电)保持信息。速度稍慢,集成 度高,成本低适合做主存

2. RAM • 根据其制造原理不同，它分为SRAM静态随机存储 器和DRAM动态随机存储器两种，现在的RAM多为 MOS型半导体电路 。 (1) SRAM（Static RAM，静态随机存储器）双稳电路， 速度快、成本高、容量小，适合做高速Cache 。 (2) DRAM（Dynamic RAM，动态随机存储器）晶体 管+电容，需刷新(充电)保持信息。速度稍慢，集成 度高，成本低适合做主存

六管静态RAM基本存储电路单元 X地址译 码线} V(+5V) TI T2 B T6 T3 T4 (I/O) 接Y地址译码器(I/0)

六管静态RAM基本存储电路单元 X 地址译 码线 D0 DO (I/O) 接 Y 地址译码器 (I/O) T6 T5 VCC （+5V） A B T1 T2 T3 T4 T7 T8 • • • • • • • •